BY25FQ16ESWIG(R)

Numéro de pièce :
BY25FQ16ESWIG(R)
Catégories de produits :
-
Fabricant :
BYTe Semiconductor
Description :
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Emballage :
-
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Quantité :
0
État RoHS :
Soutien
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Quantité minimale de commande :3000

Quantité Prix Prix total
3000+ $0.18 $540

Paramètres du produit

Statut de la pièce Active
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Grade -
Qualification -
Type de mémoire Non-Volatile
Tension d'alimentation 2.7V ~ 3.6V
Format de mémoire FLASH
Taille de la mémoire 16Mbit
Organisation de la mémoire 2M x 8
Boîtier 8-WDFN Exposed Pad
Technologie FLASH - NOR
Fréquence d'horloge 133 MHz
Temps d'accès 5 ns
Fournisseur Dispositif Emballage 8-WSON (5x6)
Interface de mémoire SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Temps d'Écriture - Mot, Page 250µs, 2.4ms