BY25D10ASMIG(R)

Número de pieza:
BY25D10ASMIG(R)
Categoría de productos:
-
Fabricante:
BYTe Semiconductor
Descripción:
1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Embalaje:
-
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Cantidad:
0
Estado RoHS:
Apoyo
Compartir:
PDF:

Cantidad mínima de pedido:30000

Cantidad Precio Precio total
30000+ $0.14 $4200

Parámetros del producto

Estado de la Pieza Active
Temperatura de Operación -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de Montaje Surface Mount
Grado -
Calificación -
Tipo de Memoria Non-Volatile
Tamaño de la Memoria 1Mbit
Organización de la Memoria 128K x 8
Voltaje - Alimentación 2.7V ~ 3.6V
Formato de Memoria FLASH
Tecnología FLASH - NOR
Tiempo de Acceso 7 ns
Paquete / Carcasa 8-UFDFN Exposed Pad
Frecuencia de Reloj 108 MHz
Interfaz de Memoria SPI - Dual I/O
Proveedor Dispositivo Paquete 8-USON (2x3)
Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página 2.4ms